Интерфейс микросхем флэш-памяти хорошо сочетается со стандартными сигналами, используемыми в микропроцессорных системах. Внутренние циклы стирания, записи и верификации выполняются автономно от шинных циклов внешнего интерфейса, что является существенным преимуществом перед микросхемами EPROM и EEPROM. В режиме чтения они полностью совместимы с EPROM, совпадая с ними и по расположению основных выводов.
Обозначение микросхем для изделий лидеров в области разработки и производства флэш-памяти — фирм Intel и AMD — несколько отличаются. Остальные производители для своих изделий, по свойствам аналогичных, в основном придерживаются системы обозначений лидеров.
Обозначение микросхем флэш-памяти Intel начинается с признака 28F, за которым следует трехзначный код объема (табл. 7.24), а за ними — два символа технологии и архитектуры:
♦ B5, ВС, BX, BR — Boot Block с питанием 5 В;
♦ C3 — Boot Block с питанием 3 В;
♦ F3 — Boot Block с питанием 3 В, повышенное быстродействие;
♦ J3 и J5 — StrataFlash (SA) с питанием 3 и 5 В соответственно;
♦ S3 и S5 — Flash File (SA) с питанием 3 и 5 В соответственно.
Таблица 7.24. Популярные микросхемы флэш-памяти
| Обозначение | Организация¹ |
|---|
| 256 | 32 К×8 BE |
| 512 | 64 К×8 BE |
| 010 | 128 К×8 BE |
| 020 | 256 К×8 BE |
| 001 | 128 К×8 BB |
| 002 | 256 К×8 BB |
| 004 | 512 К×8 BB, SA |
| 008 | 1 М×8 BB, SA |
| 016 | 2 М×8 BB, SA |
| 200 | 256 К×8/128 К×16 BB |
| 400 | 512 К×8/256 К×16 BB |
| 800 | 1024 К×8/512 К×16 BB |
| 160 | 2 М×8/1 M×16 SA, BB |
| 320 | 4 M×8/2 M×16 SA |
| 640 | 8 M×8/4 M×16 SA |
¹ BE — Bulk Erase (стираемые целиком), BB — Boot Block (несимметричные блоки), SA — Symmetric Architecture (симметричные блоки). Через косую черту указана организация для микросхем с переключаемой разрядностью данных.
Для флэш-памяти AMD первая часть обозначения определяет тип и характеристики микросхем:
♦ Am29BDS — 1,8 В, считывание одновременно с записью, пакетный режим чтения;
♦ Am29DS — 1,8 В, считывание одновременно с записью;
♦ Am29SL — 1,8 В;
♦ Am29LV — 3 B;
♦ Am29DL — 3 В, считывание одновременно с записью;
♦ Am29BL — 3 В, пакетный режим чтения;
♦ Am29PL — 3 В, страничный режим чтения;
♦ Am30LV — 3 В, UltraNAND;
♦ Am29F — 5 В.
Далее следует трехзначный код объема, за ним символ технологии изготовления (В, С или D), за которым следует символ архитектуры:
♦ T — boot sector, верхний;
♦ В — boot sector, нижний;
♦ H — симметричная, защищен со старшим адресом;
♦ L — симметричная, защищен с младшим адресом;
♦ U (нет символа) — симметричная;
♦ J40 — число 100%-годных блоков (только для UltraNAND).
Оставшаяся часть определяет параметры питания, быстродействие, тип корпуса, температурный диапазон и некоторые особенности.
Флэш-память с интерфейсом PCMCIA (PC Card) оптимизирована для построения внешней памяти миниатюрных PC. Модуль флэш-памяти в формате PC Card имеет интерфейс дисков IDE (ATA) как на уровне электрических сигналов, так и по системе команд. Кроме собственно микросхем накопителя этот модуль обычно содержит управляющую микросхему программируемой логики. Флэш-память в стандарте PC Card логически является устройством внешней памяти. Ее не следует путать с похожей по виду памятью в формате Credit Card, которая является оперативной и вставляется в специальный (не PCMCIA) слот компьютера. Внешнюю память, в отличие от оперативной, в принципе можно вставлять и вынимать без перезагрузки ОС.
Организация и программирование флэш-памяти IntelПо организации и программированию можно выделить три поколения флэш-памяти Intel.
Микросхемы первого поколения (28F256, 28F512, 28F010, 28F020) представляют собой единый массив памяти, стираемый целиком (bulk erase). Для выполнения стирания и записи микросхемы имеют внутренний регистр команд и управляющий автомат WSM (Write State Machine). Стирание и программирование флэш-памяти возможны только при подаче на вход VPP напряжения 12 В по командам, записываемым во внутренний регистр в шинном цикле записи по сигналу WE#.
