Mead С, Conway L. 1980. Introduction to VLSI systems. Reading, MA: Addison-Wesley. Разработка приборов и схем, классическая книга.
Millman J., Grabel А. 1987. Microelectronics. New York: McGraw-Hill. Рекомендуем в качестве учебника по широкому кругу вопросов.
Savant С. J., Jr., RodenM.S., Carpenter G. L. 1987. Electronic circuit design. Menlo Park, CA: Benjamin/Cummings. Хороший вводный курс по электронным схемам.
Senturia S. D., Wedlock В. D. 1975. Electronic circuits and applications. New York: Wiley. Хороший вводный курс для инженеров.
SiebertW. М. 1986. Circuits, signals, and systems.
Cambridge, MA: MIT Press. Теория сетей, методы преобразования и обработка сигналов.
Smith R.J. 1984. Circuits, devices, and systems. New York: Wiley. Вводный курс широкого профиля для инженеров.
Tietze U., Schenk С. 1978. Advanced electronic circuits. Berlin: Springer-Verlag. Отличное справочное руководство широкого профиля.
* * *
Глава 1
Holbrook J. G. 1966. Laplace transforms for electronic engineers. New York: Pergamon Press. По этой книге хорошо изучать s-плоскость.
Johnson D. Е., Hilburn J. L., Johnson J. R. 1986. Basic electric circuit analysis. Englewood Cliffs, NJ: Prentice-Hall. Анализ пассивных цепей.
Purcell E. M. 1985. Electricity and magnetism (Berkley physics course, vol. 2). New York: McGraw-Hill. Прекрасный учебник по теории электромагнетизма. Отдельные разделы посвящены электрической проводимости и анализу цепей переменного тока с использованием комплексных чисел.
Глава 2
Ebers J.J., Moll J. L. 1954. Large-signal behavior of junction transistors. Proc. I.R.E. 42:1761–1772. Вывод уравнения Эберса-Молла.
Grove A. S. 1967. Phisics and technology of semiconductor devices. New York: Wiley. Описаны принципы создания и работы биполярного транзистора и полевого транзистора.
Schilling D. L, Belove С. 1979. Electronic circuits: discrete and integrated. New York: McGraw-Hill. Традиционный анализ транзисторов с помощью h-параметров.
Searle С. L., Boothroyd A. R., Angelo Е. J., Jr., Gray P. Е., PedersonD. О. 1966. Elementary circuit properties of transistors (semiconductor electronics education committee, vol. 3). New York: Wiley. Посвящена физике транзисторов.
SzeS. M. 1981. Physics of semiconductor devices. New York: Wiley.
"Discrete products databook", "Transistor databook." Сборники технических паспортов на транзисторы, которые время от времени публикуют все фирмы, занятые производством транзисторов, в частности, GE, Motorola, National, и TI. Без паспортных данных не обойтись при разработке схем.
Глава 3
Muller R.S., Kamins T.I. 1986. Device electronics for integrated circuits. New York: Wiley. Посвящена свойствам транзисторов в интегральных схемах.
Richman Р. 1973. MOS field-effect transistors and integrated circuits. New York: Van Nostrand Reinhold. Рекомендуем почитать.
Tsividis Y. P. 1987. Operation and modeling of the MOS transistor. New York: McGraw-Hill. См. также книгу Grove A. S. в библиографии к гл. 2.
