Солнечные элементы полностью

Проведенные электронографические исследования поверхности кремния, подвергнутой бомбардировке ионами фосфора, обнаружили аморфизацию кремния вплоть до глубины 0,2 мкм, причем верхний слой толщиной 0,05 мкм из монокристаллического состояния перешел полностью в аморфное. Количественная оценка средней по слою концентрации носителей тока (см. кривую 1 на рис. 2.4) дает значение порядка 10¹⁸ см^-3, что примерно в 1000 раз меньше средней концентрации введенного фосфора (3x10²¹ см^-1).

Уменьшение количества радиационных дефектов и увеличение концентрации электрически активных внедренных атомов фосфора, как известно, легко достигаются тепловым отжигом образцов: глубина залегания р-n-перехода, как показывает кривая 2 на рис. 2.4, увеличилась до 1 мкм после отжига пластин при 850^o G в течение 2 ч. Участок кривой 2 от 0,3 до 1 мкм довольно хорошо описывается уравнением диффузии примеси из бесконечного источника в полуограниченное тело. Интегрирование кривой 2 показало, что в кремний из начального слоя толщиной 0,3 мкм продиффундировало 4,2 % фосфора. По мере приближения к поверхности, так же как и до отжига, наблюдается уменьшение концентрации свободных носителей тока. Электронограммы, полученные при последовательном удалении слоев, показали остаточные нарушения монокристалличности до глубины 0,15 мкм, что подтверждает неполноту отжига, из-за чего концентрация свободных носителей в этом слое не могла стать высокой.

Была сделана попытка исследовать распределение концентрации свободных носителей в легированном слое по изменению коэффициента отражения в инфракрасной области спектра. Коэффициент отражения образцов, не подвергнутых отжигу после ионной бомбардировки, совпадает с коэффициентом отражения нелегированного кремния. В этом случае поверхностная концентрация свободных носителей N?10¹⁸ см^-3, однако глубина залегания перехода настолько мала (0,2–0,3 мкм), что легированный слой оказывается в высокой степени прозрачным в окрестности ?=19 мкм. Это говорит о том, что для мелких р-n-переходов (глубина залегания 1 мкм) изменение коэффициента отражения при послойном снятии кремния не передает истинного распределения концентрации свободных носителей в легированном слое, так как значение коэффициента отражения обусловливается не только поверхностными, но и всеми нижележащими слоями с уменьшающейся концентрацией свободных носителей.

Этот вывод, сделанный на основании эксперимента, подтверждается расчетом. После подстановки в соотношение, связывающее показатель и коэффициент поглощения, значений ?=19 мкм и k=4,1 для легированного кремния получим, что глубина проникновения света, на которой плотность потока излучения снижается в е раз, 1/?=0,4 мкм. Если учесть, что в описанных выше экспериментах концентрация свободных носителей в хорошо отожженных легированных слоях составляла 3x10²⁰ см^-3 и значение k=4,1 для этих слоев является весьма разумной величиной, подтверждаемой экспериментом, то совпадение расчетных и экспериментальных данных по зависимости прозрачности легированного слоя в инфракрасной области от его толщины следует признать весьма хорошим.

Таким образом, исследование спектров отражения как в инфракрасной, так и в ультрафиолетовой областях, дополненное измерениями электрической проводимости слоев, дает возможность получить информацию об электрофизических и оптических свойствах кристаллов и слоев, используемых в солнечных элементах, в частности, помогает оценить концентрацию свободных носителей заряда, качество обработки поверхности, степень отжига дефектов, параметры зонной структуры, в том числе ширину запрещенной зоны полупроводника и ее температурную зависимость.

Преобразование оптического излучения в электроэнергию в полупроводниковых солнечных элементах

Фотоэлементы, основанные на фотоэффекте в полупроводниковых структурах с р-n-переходами, так называемом вентильном фотоэффекте, непосредственно превращают падающее на них оптическое излучение в электрическую энергию, являясь, таким образом, ее генераторами, и в отличие от фотосопротивлений и фотоэлементов с внешним фотоэффектом не нуждаются в источнике внешнего напряжения.

Начиная с открытия в середине прошлого века фотоэлектрических свойств селена и создания в конце прошлого и начале нашего столетия на основе селена и гетеросистемы медь — закись меди первых фотоэлектрических преобразователей светового излучения в небольшие электрические сигналы, делались неоднократные попытки повышения КПД таких преобразователей и превращения их в источник электрической энергии значительной мощности.