Структуры 3.0.2 притягиваются протонами, набирают скорость, пролетают мимо них к другим, более активным протонам и так далее. Структуры 3.0.1 подобным образом ведут себя со свободными электронами и электронами, входящими в атомы, но магнитоактивными в определенные моменты.
В результате структуры 3.0.1 (3.0.2) способны перемещаться не только в проводниках, но и в диэлектриках.
В первом варианте схемы В. В. Авраменко путь перемещения структур 3.0.1 и 3.0. 2 замыкается на обкладках конденсатора, собственной емкостью электростатического вольтметра и паразитной емкостью разрядника. Данные емкости способны накапливать на одной обкладке зарядоактивные протоны 5.0.1. На другой обкладке конденсаторов собираются свободные электроны 4.0.2. На обкладке конденсатора их удерживает поток структур 3.0.1 от активных протонов с противоположной пластины конденсатора.
По мере накопления в диэлектриках конденсаторов структур 3.0.1, 3.0.2, обслуживающих активные протоны и электроны, в конденсаторах создается заряд, достаточный для переноса электронов с контакта А разрядника на контакт Б, возникает искра. В результате недостаток электронов на контакте Б компенсируется с контакта А. Однако уже при первой полуволне, состоящей из структур 3.0.1, электроны из зоны контакта Б частично отсасываются, что приводит к появлению положительного потенциала на нижней обкладке конденсатора и избытка структур 3.0.1 в зоне контакта 1, поступивших через диэлектрик конденсатора, а не через диод Д. Порция электронов, отобранная из зоны Б с помощью структур 3.0.1, поступивших от протонов с обкладки Б, засасывается через диод Д, в зону А и компенсирует избыток структур 3.0.1.
Замешкавшиеся по пути электроны и электроны, собравшиеся двигаться к трансформатору со скоростью несколько сантиметров в секунду, последующей полуволной из структур 3.0.2 заталкиваются в зону А. Данная полуволна из структур 3.0.2, казалось бы, через верхний диод должна высосать из зоны А положительный заряд, эквивалентный числу электронов 4.0.2, отобранных предыдущей полуволной из зоны Б. Однако роль положительных зарядов выполняют протоны 5.0.1, а они хоть и являются зарядоактивными, но жестко привязаны к структуре материала обкладки конденсатора. В результате во всех трех разновидностях схем В. В. Авраменко происходит периодический заряд зон А отрицательным зарядом, а зон Б положительным. При этом по проводнику Л текут только потоки из структур 3.0.1 чередующиеся с потоками из структур 3.0.2.
Свободных электронов 4.0.1 в проводнике Л практически нет, они выталкиваются из проводника первыми отрицательными полуволнами в зону А, за счет чего по мере заряда конденсатора проводник и вторичная обмотка трансформатора приобретают небольшой положительный заряд. Полагаю, что именно данный момент и понудил В. В. Авраменко ввести в схему варианта II резистор R1.
Резистор R1, как и завязка бантиком проводников в схеме варианта III, незначительно уменьшают потоки полуволн, состоящих из структур 3.0.1, 3.0.2.
Так с позиций ТЗЭС, функционируют сверхпроводники в схеме В. В. Авроменко.
Теперь, можно рассмотреть и причины выделения на резисторе R2 завышенной тепловой мощности.
Вариант II схемы работает с более слабыми электронными потоками, чем варианты I и III. А для нагрева резистора необходимы именно потоки электронов 4.0.2. В такой схеме завышенную мощность, выделяемую на нагрузке R2, можно объяснить за счет следующих факторов:
— движение электронов из зоны А в зону Б, как было показано, обеспечивает только полуволна, состоящая из структур 3.0.1. Полуволна из структур 3.0.2 не имеет массивных носителей заряда, способных приобретать ускорение и создавать эффективный нагрев. Полуволна из структур 3.0.2 способна только отталкивать электроны. Однако протолкнуть их через индуктивное сопротивление микроамперметра и высокоомный резистор R2, удается в весьма ограниченном количестве. Поток из электронов 4.0.2 протекает через резистор R2, при полуволне из структур 3.0.1, т. е. ток имеет пульсирующий характер. Подвижная система микроамперметра, да электростатического вольтметра не способны пульсировать с частотой в несколько килогерц. В результате вольтметр и микроамперметр показывают заниженные значения тока и напряжения. Другими словами, для данной схемы неправильно выбраны средства измерения. Необходимо осуществлять контроль токов и напряжений осциллографическими приборами;
— свободный пробег электронов в высокоомных резисторах составляет сотые доли миллиметра. Наибольшее разогревание резистора R2 при таких пробегах электронов с учетом падения напряжения по длине резистора происходит в зоне, прилегающей к выводу Б. Структуры 3.0.1 в зоне Б способны разгонять электроны до более высоких скоростей и вызывать локальный нагрев. Такой нагрев резистора преимущественно в зоне вывода Б не является следствием роста тока, фиксируемого катушками микроамперметра. Другими словами, измерительные приборы, используемые В. В. Авраменко, выбраны без учета физических особенностей работы электрических схем.
