168-pin Unbuffered DIMM — модули, у которых все цепи не буферизованы (одноименные адресные и управляющие сигналы микросхем соединены параллельно и заводятся прямо с контактов модуля). Эти модули сильнее нагружают шину памяти, но позволяют добиться максимального быстродействия. Они предназначены для системных плат с небольшим (1–4) количеством слотов DIMM или имеющих шину памяти, буферизованную на плате. Модули выполняются на микросхемах DRAM или SDRAM. Высота модулей не превышает 51 мм. Объем 8–512 Мбайт.

168-pin Registered DIMM — модули синхронной памяти (SDRAM), у которых адресные и управляющие сигналы буферизованы регистрами, синхронизируемыми тактовыми импульсами системной шины. По виду этот тип DIMM легко отличим — кроме микросхем памяти и EEPROM на них установлено несколько микросхем регистров-защелок. За счет регистров эти модули меньше нагружают шину памяти, что позволяет набирать больший объем памяти. Применение регистров повышает точность синхронизации и, следовательно, — тактовую частоту. Однако регистр вносит дополнительный такт задержки. Кроме того, на модулях может быть установлена микросхема ФАПЧ (PLL), формирующая тактовые сигналы для микросхем памяти и регистров-защелок. Это делается для разгрузки линий синхронизации, причем в отличие от обычной буферизации сигнала, вводящей задержку между входом и выходом, схема PLL обеспечивает синфазность выходных сигналов (их на выходе PLL несколько, каждый для своей группы микросхем) с опорным сигналом (линия CK0). Модули на 64 Мбайт могут быть и без схем PLL — в них линии CK[0:3] разводятся прямо на свои группы микросхем памяти. Регистры могут быть переведены в режим асинхронных буферов (только на 66 МГц), для чего на вход REGE нужно подать низкий уровень. Для модулей на 66 МГц возможна замена регистров асинхронными буферами.

Модули DIMM-184 предназначены для микросхем DDR SDRAM. По габаритам они аналогичны модулям DIMM-168, но у них имеются дополнительные вырезы по бокам (см. рис. 7.13, г) и отсутствует левый ключ. Разрядность — 64 или 72 бит (ЕСС), имеются варианты с регистрами в адресных и управляющих цепях (Registered DDR SDRAM) и без них. Напряжение питания — 2,5 В. Идентификация последовательная. Состав сигналов в основном повторяет набор для DIMM SDRAM, назначение выводов приведено табл. 7.16. Модули отличаются большим количеством стробирующих сигналов DQSx — по линии на каждые 4 бита данных (DQS8 и DQS17 используются для стробирования контрольных битов). Вход тактовой частоты только один, но дифференциальный — раздачу сигналов по микросхемам памяти и регистрам осуществляет микросхема DLL.

Таблица 7.16. Назначение выводов DIMM-184 DDR SDRAM

КонтактЦепьКонтактЦепьКонтактЦепьКонтактЦепь
1VREF47DQS893VSS139VSS
2DQ048АО94DQ4140DQS17
3VSS49CB295DQ5141A10
4DQ150VSS96VDDQ142CB6
5DQS051CB397DQS9143VDDQ
6DQ252BA198DQ6144CB7
7VDD53DQ3299DQ7145VSS
8DQ354VDDQ100VSS146DQ36
9NC55DQ33101NC147DQ37
10RESET#56DQS4102NC148VDD
11VSS57DQ34103A13149DQS13
12DQ858VSS104VDDQ150DQ38
13DQ959BA0105DQ12151DQ39
14DQS160DQ35106DQ13152VSS
15VDDQ61DQ40107DQS10153DQ44
16DU62VDDQ108VDD154RAS#
17DU63WE#109DQ14155DQ45
18VSS64DQ41110DQ15156VDDQ
19DQ1065CAS#111CKE1157S0#
20DQ1166VSS112VDDQ158S1#
21CKE067DQS5113BA2159DQS14
22VDDQ68DQ42114DQ20160VSS
23DQ1669DQ43115A12161DQ46
24DQ1770VDD116VSS162DQ47
25DQS271DU117DQ21163DU
26VSS72DQ48118A11164VDDQ
27A973DQ49119DQS11165DQ52
28DQ1874VSS120VDD166DQ53
29A775DU121DQ22167FETEN
30VDDQ76DU122A8168VDD
31DQ1977VDDQ123DQ23169DQS15
32A578DQS6124VSS170DQ54
33DQ2479DQS0125A6171DQ55
34VSS80DQ51126DQ28172VDDQ
35DQ2581VSS127DQ29173NC
36DQS382VDDID128VDDQ174DQ60
37A483DQ56129DQS12175DQ61
38VDD84DQ57130A3176VSS
39DQ2685VDD131DQS0177DOS16
40DQ2786DQS7132VSS178DQ62
41A287DQ58133DQ31179DQ63
42VSS88DQ59134CB4180VDDQ
43A189VSS135CB5181SA0
44CB090WP136VDDQ182SA1
45CB191SDA137CK0183SA2
46VDD92SCL138CK0#184VDDSPD
Перейти на страницу:

Все книги серии Наиболее полное и подробное руководство

Похожие книги