КомандаПервый цикл шиныВторой цикл шиныТретий цикл шины
R/WАдрес¹Данные²R/WАдрес¹Данные²R/WАдрес¹Данные²
Read Extended Status Register (чтение дополнительных регистров)WXxx71hRRAGSRD BSRD---
Page Buffer Swap (смена буфера)WXxx72h------
Read Page Buffer (чтение буфера)WXxx75hRРВАPBD---
Single Load to Page Buffer (одиночная запись в буфер)WXxx74hWРВАPBD---
Sequential Load to Page Buffer x8/x16 (последовательная запись в буфер)WXxxE0hWXBCL/WCL³WXBCH/WCH³
Page Buffer Write to Flash x8/х16 (перепись буфера в массив)WXxx0ChWA0BC(LH)/WCL³WXBC(HL)/WCH³
Two-Byte Write x8 (двухбайтное программирование в режиме x8)WXxxFBhWA0WD(L,H)³WWAWD(H,L)³
Lock Block/Confirm (защита блока)WXxx77hWBAxxD0h---
Upload Status Bits/Confirm (выгрузка состояния блока в GSR)WXxx97hWXxxD0h---
Upload Device Information (выгрузка информации об устройстве)WXxx99hWXxxD0h---
Erase All Unlocked Blocks/Confirm (стирание всех незащищенных блоков)WXxxA7hWXxx00h---
RY/BY# Enable to Level-Mode (разрешение отображения GSR.7 потенциалом)WXxx96hWXxx01h---
RY/BY# Pulse-On-Write (импульс по окончании программирования)WXxx96hWXxx02h---
RY/BY# Pulse-On-Erase (импульс по окончании стирания)WXxx96hWXxx03h---
RY/BY# Disable (запрет сигнала RY/BY#)WXxx96hWXxx04h---
Sleep (режим ожидания)WXxxF0h------
Abort (отмена операции)WXxx80h------

¹ BA = Block Address — адрес блока, РВА = Page Buffer Address — адрес внутри буфера, RA = Extended Register Address — адрес дополнительного регистра (BSRx или GSR), WA = Write Address — адрес во флэш-массиве. А0 указывает на порядок следования байт в режиме x8 (при низком уровне BYTE#): 0 = сначала младший, затем старший; 1 = наоборот.

² AD = Array Data — данные из массива, PBD = Page Buffer Data — данные буфера, WD (L,H) = Write Data (Low, High) — данные для записи в массив, BSRD = BSR Data — информация регистра состояния блока, GSRD = GSR Data — информация глобального регистра состояния.

³ WC (L,H) = Word Count (Low, High) — счетчик слов. WCL=0 соответствует записи одного слова. Для буфера 256 байт WCH=0. BC (L,H) = Byte Count (Low, High) — счетчик байт. WCL=0 соответствует записи одного байта. Для буфера 256 байт WCH=0.

Микросхема 28F032SA представляет собой два параллельно соединенных кристалла 28F016SA в одном корпусе. Входы СЕ# одного из них соединены с выводами СЕ0# и СЕ1#, второго — с СЕ0# и СЕ2#.

Третье поколение — современные микросхемы, выполненные по технологии SmartVoltage, допускают стирание и программирование при напряжении VPP как 12 В, так и 5 В. В последнем случае эти операции занимают больше времени. Кроме того, операции чтения возможны при пониженном (3,3 и даже 2,7 В) напряжении питания VCC, при этом снижается потребление, но увеличивается время доступа.

Для управления защитой данных введен логический сигнал WP# (Write Protect). При его высоком уровне программирование и стирание защищенных блоков выполняются так же, как и остальных. При низком уровне WP# модификация защищенных блоков возможна только при наличии высокого (12 В) напряжения на входе RP#.

Для полной защиты от стирания и программирования на вход VPP должен подаваться низкий логический уровень (или 0 В), а не 5 В, как у микросхем с программированием напряжением 12 В.

Настройка (оптимизация потребления и быстродействия) происходит по уровню напряжения на выводе VCC по включении питания, переход на другое значение должен производиться через выключение питания.

Флэш-память фирмы AMD
Перейти на страницу:

Все книги серии Наиболее полное и подробное руководство

Похожие книги