Осознав всю серьезность проблемы, Мур и Гроув просили исследователей Intel ускорить работу над двумя мощными технологиями, которые могли изменить счет на табло. Одной из них являлся новый производственный процесс под названием CMOS (complementary metal oxide on silicon — дополняющие металл-оксид-кремний), позволявший снизить потребление чипом энергии, поскольку ток пропускался через транзисторы в ячейке только при изменении ее состояния с 1 на 0. Производители портативных компьютеров, работающих от батареек, несомненно, готовы были платить за них больше.
Другая "убийственная" технология, с помощью которой Intel надеялась вернуть былое господство на рынке запоминающих устройств, называлась "резервирование на уровне схем". В системах памяти, которые Intel производила для IBM, вводились дополнительные контуры, позволявшие обходить неисправные ячейки частично дефектных чипов. Благодаря этому Intel могла использовать устройства, которые в противном случае пришлось бы просто выбросить. Новая идея заключалась в применении принципа перемычек в самом чипе. Вот как объяснял ее Рон Уиттиер, руководитель отдела запоминающих устройств, на занятиях Школы бизнеса для выпускников Станфордского университета:
"В сущности, вы имеете адресную систему чипа памяти, состоящую из рядов и колонок. Периферия чипа содержит логические и восстанавливающие контуры, необходимые для управления информацией и обновления ее в DRAM. К 64-Кбайт версии Intel добавила лишнюю колонку, чтобы она могла быть задействована в случае производственного дефекта. В каждую колонку встроен физический переключатель, или "предохранитель", к которому могут обращаться испытательные приборы. В случае обнаружения плохого элемента через переключатель пропускается ток и "предохранитель" перегорает, дезактивируя неисправную колонку, а дополнительная колонка вводится в действие. Таким способом можно "перепрограммировать" бракованный чип перед продажей и повысить общий выход продукции".
Эта поразительно умная идея позволяла обойти японское превосходство в производстве бездефектных кремниевых пластин, не занимаясь улучшением качества производства. Резервирование на уровне схем, для процесса с высоким выходом продукции было подобно мозгу для мускулов: оно давало возможность значительно увеличить процент годных устройств, выходящих с линии, не внося существенных изменений в ее работу.
Одно было плохо: технология не работала. Точнее, после того как инженеры Intel подготовили чип с резервированием к производству, выяснилось, что процессу сгорания предохранителя, который должен был обеспечивать дезактивацию дефектной колонки ячеек памяти, не хватало устойчивости. Иногда после прожигания поликремниевый предохранитель таинственным образом "вырастал" снова и в результате через некоторое время после установки чипа неисправная колонка опять включалась, а пользователь начинал замечать ошибки в данных. И лишь в начале 1982 года, третьего года с момента выпуска устройства Fujitsu, Intel смогла выйти на рынок с надежным DRAM объемом 64 Кбайт, использующим механизм замещения. Процесс CMOS в конце концов тоже принес большой успех, но для этого тоже потребовалось время: такие чипы емкостью 64 Кбайт Intel смогла предложить только через два года.
В 1982 году генеральный менеджер производства компонентов памяти Скотт Гибсон пришел к заключению, что Intel больше не в состоянии удерживать свои позиции на широком рынке динамической оперативной памяти. Он пытался убедить коллег, что эта проблема скорее долгосрочная, чем сиюминутная, потому что Intel взяла привычку еще восемь лет назад во времена поколения чипов объемом 4 Кбайт лезть в гору, как только прибыли опускались ниже установленного порога. Гибсон доказывал, что Intel не должна преследовать цель найти свою нишу в области DRAM, как это было со статическими RAM или EPROM. Пусть другие пробиваются на потребительский рынок дешевой памяти. Компания должна сделать упор на процесс CMOS, считал он, и стать лидером в производстве устройств памяти для новых персональных компьютеров.
