Табл. 13.1. Примеры возможного применения материалов на основе однослойных углеродных нанотрубок и нанотканей
Одна из наиболее интересных и перспективных возможностей широкого применения однослойных нанотрубок связана с созданием упоминавшихся выше энергонезависимых запоминающих устройств, то есть компьютеров с «мгновенным запуском»[76]. В этом направлении достигнут значительный прогресс в использовании поверхностных структур (сборок) из однослойных трубок, дополняющих интегральные схемы[77], способных сохранять свои молекулярные характеристики без внешнего физического контроля на атомарном уровне (в данном случае без подачи напряжения). Для организации возможного промышленного производства очень важно, что такие мономолекулярные и атомарные поверхностные структуры могут быть созданы в результате достаточно простых операций. Сначала на поверхность кристалла при комнатной температуре наносится слой специального раствора, содержащего SWNT и полупроводниковые компоненты. После испарения растворителя на поверхности остается мономолекулярная пленка, на которую может быть литографически нанесена требуемая схема (паттерн). На последней стадии процесса пластина подвергается обычному травлению в кислородной плазме. Особенно важно, что метод позволяет наносить слой наноматериала на поверхности с наклонными участками, резкими перепадами, острыми краями структур и т. п. Возможность покрывать сложные поверхности «нанотканью», а затем обрабатывать ее хорошо отлаженными традиционными технологическими операциями позволяет исследователям мечтать о замене существующих «горизонтальных» интегральных схем на трехмерные, или «вертикальные». Не стоит и говорить, что переход к объемному дизайну интегральных схем и устройств будет означать революционные изменения для электроники.
Комбинируя сложные паттерны (образно говоря, выкройки из ткани, образованной нанотрубками) со специально спроектированными углублениями на плоскости вокруг ткани, можно создать объемные структуры, или пустоты. Электронную «выкройку» схемы в пространстве можно «подвесить», закрепив ее в местах контакта с электродами. Такие устройства, называемые молекулярными микропереключателями (molecular microswitcher, MMS), уже существуют, и сейчас разработчики стараются создать на их основе запоминающие или логические устройства.
Используемые в описанном подходе схемы (то есть специальным образом обработанные участки наноткани из SWNT толщиной 1–2 нм) в дальнейшем могут быть объединены в единое целое со стандартными полупроводниковыми устройствами (например, с известными комплементарными МОП-структурами). Присоединяя новые схемы не в плоскости, а в пространстве (снизу или сверху), можно управлять работой молекулярных микропереключателей. Использование такой техники позволяет создавать смешанные интегральные схемы (наносхемы + КМОП-структуры) практически любого размера. Размеры нанообъектов или участков единой схемы настолько малы, что единственным фактором, ограничивающим уменьшение размеров новых устройств, остаются границы возможностей существующей литографической техники. Исходя из описанного подхода, можно даже сказать, что существует лишь абстрактный физический предел интеграции электронных схем, определяемый размерами элементарного устройства из двух металлических нанотрубок, связанных собственным электромеханическим взаимодействием.
