В последние годы возник и стал широко использоваться еще один уникальный класс объектов, названных нанолентами (НЛ). Эти квазиодномерные наноматериалы обладают хорошо выраженной структурой и поверхностью и отличаются разнообразием, связанным с их химическим составом и кристаллографической структурой. НЛ действительно представляют собой ленты и полоски (иногда их называют нанополосками) из полупроводниковых оксидов цинка, олова, кадмия и галлия (на рис. 13.6 приведена микрофотография наноленты из ZnO). Такие ленты легко можно получить известными коммерческими методами испарения порошков оксидов при высоких температурах. Уже сейчас можно производить оксидные монокристаллические НЛ с заданными размерами и правильной прямоугольной формой сечения, обладающие высокой химической чистотой и структурной однородностью. На основе таких нанолент или полосок уже созданы разнообразные устройства: полевые транзисторы, высокочувствительные газовые датчики, нанорезонаторы, нанокронштейны для атомносиловых микроскопов и т. п. В настоящее время многие исследователи заняты изучением физических свойств НП (например, их теплопроводности и т. д.), а также успешно пытаются синтезировать новые объекты этого класса (в частности, нанопружины и нанокольца), которые могут найти широкое применение для изготовления датчиков, преобразователей, приводных устройств и т. д.
Рис. 13.6. Нанолента, полученная осаждением паров ZnO при высокой температуре. Продукт характеризуется высокой однородностью поверхности и размеров прямоугольного сечения
Известно, что электрический заряд многих биомолекул (включая белки и ДНК) меняется в зависимости от их функционального состояния, что может быть использовано для их детектирования специально спроектированными датчиками. В частности, наличие таких молекул можно зарегистрировать при их химическом связывании с обработанной поверхностью нанопроволок. Например, создан датчик на основе кремниевой нанопроволоки (SiNW), поверхность которой после обработки биотином приобретает способность избирательно связывать стрептавидин, как показано на рис. 13.7.
Рис. 13.7. Регистрация связывания белка. Модифицированная биотином поверхность кремниевой нанопроволоки SiNW (слева) приобретает способность избирательно связывать стрептавидин, образуя комплекс биотин-стрептавидин (справа). Для наглядности процесс представлен лишь схематически, без указания точных размеров нанопроволоки SiNW и белковых молекул
Оптоэлектронные детекторы необычного типа могут быть созданы на основе светоизлучающих нанодиодов и нанолазеров из полупроводников с прямыми оптическими переходами типа InP. На рис. 13.8 показано устройство, позволяющее проверять согласованность режима работы перекрестных светодиодов на основе трехмерных «изображений» интенсивности электролюминесценции и фотолюминесценции. Контроль характеристик изделий осуществляется по специальной методике, основанной на цветовых оттенках излучения. Такие методы могут оказаться очень полезными в будущем, например, для контроля качества изделий при промышленном производстве фотонных устройств и т. п.
Рис. 13.8. Трехмерная картина интенсивности электролюминесценции скрещенных светодиодов на основе нанопроволок
Комбинируя пересекающиеся решетки из нанопроволочных светоизлучающих диодов и передатчиков, можно создавать новые устройства с высокими коэффициентами усиления и другими ценными характеристиками, а затем даже формировать из них более сложные схемы. Таким сложным устройствам можно будет придавать новые функциональные способности, включая осуществление логических операций, что может привести к созданию мощных компьютеров нового типа.
Для создания вычислительных устройств необходимо, в первую очередь иметь два основных структурных элемента (транзисторы и диоды), причем транзисторы обеспечивают усиление по напряжению, а диоды – ряд важных операций. Малые размеры наноустройств делают их очень удобными для монтажа, а комбинирование нанодиодов и полевых транзисторов позволяет создавать логические вентили разных типов (AND, OR, NOR), являющиеся основой аппаратного обеспечения современной вычислительной техники (рис. 13.9).
Рис. 13.9. Логическая схема, построенная на основе решетки (1 х 3) пересекающихся нанопроволок с переходами. Врезка на рисунке схематически соответствует изображению на сканирующем электронном микроскопе, а также подключению к символической электрической схеме
