Нанотехнологии полностью

Дж. Ванг в 2001 году сумел первым синтезировать наноленты (нанополоски), что стало важным открытием в наноматериаловедении, в результате чего его статья на эту тему заняла второе место по цитируемости среди работ по химии за 2001–2003 годы. Статья Ванга о пьезоэлектрических «нанопружинах» стала наиболее цитируемой публикацией по материаловедению в 2004 году. В 1999 году Вангу и его сотрудникам удалось создать самые микроскопические «весы», что было объявлено Американским физическим обществом «прорывом» в нанотехнологических исследованиях. Он был избран членом Европейской академии наук ( www.eurasc.org ) в 2002 году и принят в члены Мирового фонда инноваций (World innovation Foundation, www.thewif.org.uk ) в 2004 году, а также получил большое количество премий и наград. Дж. Ванг продолжает активно заниматься научными исследованиями в области нанопроволок и нанолент, измерения характеристик нанообъектов, сборки наноструктур и использования нанодатчиков и наноустройств в медико-биологических целях. Подробности читатель может найти на сайте http://www.nanoscience.gatech.edu/zlwang .

Проволоки толщиной несколько нанометров никогда не существовали в природе и могут считаться искусственными объектами в самом строгом смысле этого понятия. В настоящее время они представляют собой весьма обширный и коммерчески ценный класс наноматериалов, так как они могут быть синтезированы в виде заранее спланированных монокристаллических структур, обладающих заранее спланированными и строго заданными характеристиками, которые могут регулироваться в процессе синтеза или выращивания. В число этих характеристик входят такие важные параметры, как химический состав, диаметр, длина, степень и тип легирования и т. п. Производство полупроводниковых нанопроволок (НП) можно считать наиболее изученным и технологически разработанным направлением в изготовлении наноматериалов (в данном случае правильнее будет называть НП строительными блоками для создания других материалов или устройств), позволяющим осуществлять дальнейшую модификацию или интеграцию. В качестве примера возможностей методики выращивания нанопроволок на рис. 13.5 представлена микрофотография одной из структур рассматриваемого типа. Такие полупроводниковые НП или структуры на их основе уже с успехом применяются для создания распространенных и коммерчески важных полупроводниковых устройств, среди которых можно упомянуть нанометрические полевые транзисторы (FET), p-n-диоды, светоизлучающие диоды (LED), плоскостные биполярные транзисторы, инверторы, сложные логические схемы и даже целые вычислительные устройства. Отдельные устройства или блоки из НП могут быть объединены в схемы, которые вообще не имеют аналогов в обычной электронике, не говоря уже о том, что после химической модификации поверхности неорганических полупроводниковых НП можно создавать не просто новые устройства, но даже новые принципы или копцепции развития вычислительной техники.

Рис. 13.5. Упорядоченная структура нанопроволок из полупроводника ZnO. Однородность структуры (места роста, плотность) и весь процесс выращивания проволок регулируются предварительным нанесением на твердую подложку катализаторов, содержащих золото